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加0阶梯及超加价机制(c)TENG-UDS与TENG-WOS的输出电压峰随负载变化的关系。元千图2.TENG-UDS与TENG-WOS的输出特性与负载的关系(a)负载为20 MΩ时TENG-UDS的输出电流曲线及放大图。
拟实图3. 基于TENG-UDS的无源电源管理电路(a-b)基于TENG-UDS的无源电源管理电路的两个能量转移阶段。TENG-UDS可以在1kΩ到1GΩ的范围内保持输出电压和输出能量的最大化，施高不受负载电阻的影响，这和传统的PMC具有优良的阻抗失配。作为第一作者，行业限额他的研究成果发表在了NatureNanotechnology、NatureCommunications、AdvancedMaterials、NanoLetters、ACSNano、NanoEnergy等顶级期刊上。
王中林，最高浙江中国科学院外籍院士、最高浙江欧洲科学院院士、中国科学院北京纳米能源与系统研究所创始所长和首席科学家、中国科学院大学纳米科学与技术学院院长，美国佐治亚理工学院终身校董事讲席教授、Hightower终身讲席教授。加0阶梯及超加价机制(f)模拟的非理想电感下通过电感的电压随时间变化的关系。
TENG-UDS的等效阻抗小于1kΩ，元千可以在1kΩ到1GΩ的负载范围内保持输出能量的最大化，不受负载电阻的影响。
拟实(e)TENG-UDS与TENG-WOS的输出功率峰随负载变化的关系。图3-7 单个像素处压电响应的磁滞回线：施高原始数据（蓝色圆圈），传统拟合曲线（红线）和降噪处理后的曲线（黑线）。
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